Equipo de recubrimiento de pulverización con plasma altos al vacío: úpose central que permita la metalizacia del sustrato de cerámica dpc

El Equipo de Recubrimiento de Sustrato de Cerámica Semiconducora Adopta El Principio de la Pulverización de Plasma de Campo Eléctrico de Alto Vacío, Inyecta una Pequeña Cantidad de Gas en una cavidad Cerrada y lo ioniza en un fluJo de iones de iones de iones de iones de iones de argón de gase Voltaje. ESTOS IONES DE ARGÓN DE ALTA ENERGIA SE ACELERARÁN Y BOMBARDEARÁN EL MATERIAL OBJETivo UNA Estructura Densa y Una Fuerte Adhesión.
Equipo de Recubrimiento de Sustrato de Cerámica Semiconducora es un enlace previo CLAVE EN LA TECNOLOGÍA DE PROCISAMIENTO DE SUSCRATO DE CERÁMICA DPC, Que Establece una base Sólida para la Fabricación de Circuitos Posteriores, La Transferencia Gráfica y La Integiónica Funcional. Un Través de la Deposición de la Capa Metálica de Alta Precisón, El Sustrato Cerámico No solo logra una Excelente conductividad, seno que también tiene una estabilidad térmicho y resistencia resistencia mecánica más fuerte, que cumple condenas con la requisito de la resistencia de la resistencia de la resistencia de los fueros, que cumple se requiestos de los requisitos de la resistencia de la resistencia de la resistencia. Aplicaciones de Alta Gama, Como Comunicaciones 5G, Automotrices de electrones y Módulos de Potencia para el Rendimiento del Sustrato.
Durante el Proceso de Deposición de la Capa Metálica, Cualquier impreza afectará seriamental la estabilidad estructural, las propiadas eléctricas y la adhesión de la capa depositada. Por lo tanto, este upugo está equipado con un sistema de cámara de empAque de alto vacío, y elendo de vacío puede alcanzar el nivel de 10⁻⁵ pa. Through the linkage of high-efficiency molecular pump and mechanical pump for exhaust, multi-layer sealing structure, gas leakage is prevented, the inner wall of the chamber is polished, and adsorption residues are reduced, so as to ensure the purity of the deposition environment and no oxidation reaction from the source, thereby greatly improving the density and uniformity of the metal layer, which is especially suitable for semiconductors and ceramic substrates Para dispositivos de alta potencia con requisitos extremadamento altos para la pureza y la consistencia.
ESTE EQUIPO Adopta Unsistema de Fuente de Iones de Plasma Controlado Por precisión, Que Puede Ajustarse Auticamete de Acuerdo Conferentes Materiales Objetivo, ESPESOR OBJETIVO, FORMA Y POSICIÓN DEL SUSCRATA. Esta Estructura de Fuente de Iones Altamenta PUEDE LOGRAR UNA DISTRICIÓN DE PULVERización MÁNFORME DE LOS ÁTOMOS METÁLICOS, ASEGURANDO QUE LA UNIFORMIDAD DE ESPESOR Y ERROR DE CONSTRIFIENCIA DE LA LA LA LA CAPA CAPA COMPUSTA METÁLA METÁLICA EN LA SUPERFICIE DE DESA ISCROMENTOS Al ± 3%inferior, lo que se especializa adecuado para la producción de sustratos de sustratos cerámicos de gran tamaña o de forma especial.
Para satisfacer lasdades de Procesamiento de los clientes para sustratos de cerámica de diferentes especificaciones, el úuto de recubrimiento de sustrato de cerámica de semiconductoros adopta un diseño de estructura modular, queuede reauede reinazar de manera flexible el acresorio de sarustratato, yeSfaza de sarustrato, yeSfaz de sarustrato, yeSfail de, yeSfail de sartratato, yeSfaze, yeSfail de sarsafa, yeSfail de, yeSfail de, yeSfail de, yeSfail de SaSfaza, yeSfazAde, yeSfas de Sausario, y la módulo de sartrato, y lofaze, yeSfazate, yeSfas de SaStratato, yeSfas de la mana. Expansión admite un deseño paralelo de dualización de doble tasa o múltiples valores.
El Sistema de Control Puede preestablecer una VariDad de Parámetros de Proceso y Cambiar rápidamete los lotes de productos. ESTA ESTRUCTURA NO SOLO MEJORA LA FLEXIBILIDAD DEL USO DE EQUIPOS, SINO QUE TAMBIÉN REDUCTO EN GRAN MEDIDA EL TIEMPO DE AJUSTE DE LA MÁQUINA Y LOS COSTOS DE Intervención Manual al Cambiar los modelos de productos. Es muy adecuado para la productación de ensayos de investigación oem, científica y los entornos de production de producción en masa y de producción en masa.
El Sistema de Alimentación de Equipos de Recubrimiento de Sustrato de Cerámica semiconductoros adopta la lógica de control de Energía de Energía de Energía de Cambio de Alta Eficiencia, y el Consumo de Energía se reduce a un 15% -30% en comparación con el Equipo de Equipo de iones de iones de. Al Mismo Tiempo, Tiene Un Mecanismo Autico de Optimización de Inicio y Parada en Esera, Ajuste Autico de Energía Después de la Estabilización del Proceso y Reduce El Consumo Exesivo de Energía. LA Configuración opcional de Enlace de Cavidad Múltiple Puede Lograr una productación continua en INITERRUMPIDA DE 24 HORAS. Es especialmental adeCuado para clientes de production en masa de sustrato de cerámica que hijo sensibles al consumo de energía de production de la unidad y tienen altos requisitos para la eficiencia de ritmo, como de neuevos vehículos de energía, equipos de comunicación 5g y teláules 5 Módulos de Energía.